IPL60R650P6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2361670-IPL60R650P6SATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPL60R650P6SATMA1
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 600 V 6.7A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount 8-ThinPak (5x6)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-ThinPak (5x6) | |
| Basisproduktnummer | IPL60R650 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ P6 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6.7A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 557 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 56.8W (Tc) | |
| Andere Namen | IPL60R650P6SATMA1DKR ROCINFIPL60R650P6SATMA1 2156-IPL60R650P6SATMA1 SP001163080 IPL60R650P6SATMA1CT IPL60R650P6SATMA1TR |
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