SIHP35N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
NOVA-Teilenummer:
312-2265356-SIHP35N60EF-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIHP35N60EF-GE3
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220AB | |
| Basisproduktnummer | SIHP35 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | EF | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 32A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 97mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 134 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-220-3 | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2568 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) | |
| Andere Namen | SIHP35N60EF-GE3DKR-ND SIHP35N60EF-GE3DKRINACTIVE SIHP35N60EF-GE3TR SIHP35N60EF-GE3CT SIHP35N60EF-GE3TR-ND SIHP35N60EF-GE3TRINACTIVE SIHP35N60EF-GE3DKR SIHP35N60EF-GE3CT-ND |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
STP57N65M5STMicroelectronics