IPB025N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
NOVA-Teilenummer:
312-2283521-IPB025N08N3GATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPB025N08N3GATMA1
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO263-3 | |
| Basisproduktnummer | IPB025 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 120A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 14200 pF @ 40 V | |
| Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) | |
| Andere Namen | IPB025N08N3GATMA1CT IPB025N08N3 G-ND IPB025N08N3 GTR-ND IPB025N08N3G IPB025N08N3 GCT IPB025N08N3 GCT-ND IPB025N08N3 GDKR-ND 2156-IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1TR SP000311980 IPB025N08N3 G INFINFIPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3 GDKR IPB025N08N3GATMA1DKR |
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