RF4E080GNTR

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	HUML2020L8
Basisproduktnummer	RF4E080
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.6mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	5.8 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerUDFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	295 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Andere Namen	RF4E080GNTRTR RF4E080GNTRDKR RF4E080GNTRCT

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