FDMS039N08B
MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
NOVA-Teilenummer:
312-2279508-FDMS039N08B
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FDMS039N08B
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 80 V 19.4A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-PQFN (5x6) | |
| Basisproduktnummer | FDMS039 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PowerTrench® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 19.4A (Ta), 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 7600 pF @ 40 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | |
| Andere Namen | FDMS039N08BTR FDMS039N08BCT FDMS039N08BDKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- CSD19502Q5BTTexas Instruments
- FDMS86310onsemi
- FDMS037N08Bonsemi
- FDMS10C4D2Nonsemi
- CSD19532Q5BTTexas Instruments
- FDMS86350onsemi
- MCAC80N10Y-TPMicro Commercial Co
- IRFH5006TRPBFInfineon Technologies
- FDMS86300DConsemi







