SIHB21N80AE-GE3

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MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK

NOVA-Teilenummer:

312-2298211-SIHB21N80AE-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SIHB21N80AE-GE3

Standardpaket:

1,000

N-Channel 800 V 17.4A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	D²PAK (TO-263)
Basisproduktnummer	SIHB21
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	E
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	17.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	235mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)	±30V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1388 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)	32W (Tc)
Andere Namen	742-SIHB21N80AE-GE3