RQ3E100ATTB
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
NOVA-Teilenummer:
312-2287789-RQ3E100ATTB
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
RQ3E100ATTB
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 30 V 10A (Ta), 31A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-HSMT (3.2x3) | |
| Basisproduktnummer | RQ3E100 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10A (Ta), 31A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1900 pF @ 15 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) | |
| Andere Namen | RQ3E100ATTBDKR RQ3E100ATTBCT RQ3E100ATTBTR |
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