IRFB4227PBF

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MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB

NOVA-Teilenummer:

312-2283491-IRFB4227PBF

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

IRFB4227PBF

Standardpaket:

Technisches Datenblatt:

N-Channel 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten	TO-220AB
Basisproduktnummer	IRFB4227
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	HEXFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	65A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	98 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-220-3
Vgs (Max)	±30V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	4600 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	330W (Tc)
Andere Namen	SP001565892