TK32E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
NOVA-Teilenummer:
312-2292154-TK32E12N1,S1X
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TK32E12N1,S1X
Standardpaket:
50
Technisches Datenblatt:
N-Channel 120 V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220 | |
| Basisproduktnummer | TK32E12 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 60A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-220-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 120 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2000 pF @ 60 V | |
| Verlustleistung (max.) | 98W (Tc) | |
| Andere Namen | TK32E12N1,S1X(S TK32E12N1S1X |
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