BSC117N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
NOVA-Teilenummer:
312-2276114-BSC117N08NS5ATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSC117N08NS5ATMA1
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 80 V 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TDSON-8-7 | |
| Basisproduktnummer | BSC117 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 49A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 22µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1300 pF @ 40 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
| Andere Namen | BSC117N08NS5ATMA1-ND BSC117N08NS5ATMA1TR BSC117N08NS5ATMA1CT SP001295028 BSC117N08NS5ATMA1DKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- A6S-4104-HOmron Electronics Inc-EMC Div
- BSC040N08NS5ATMA1Infineon Technologies
- BSC037N08NS5ATMA1Infineon Technologies
- CSD19534Q5ATexas Instruments
- TL1963ADCQRTexas Instruments
- REF5030IDRTexas Instruments
- OPA2182IDGKRTexas Instruments
- BSC052N08NS5ATMA1Infineon Technologies
- CDBW46-GComchip Technology
- STPS6M100DEE-TRSTMicroelectronics
- UCC27282QDDARQ1Texas Instruments









