SUP60061EL-GE3
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
NOVA-Teilenummer:
312-2271510-SUP60061EL-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SUP60061EL-GE3
Standardpaket:
500
Technisches Datenblatt:
P-Channel 80 V 150A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220AB | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 150A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 218 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-220-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 9600 pF @ 40 V | |
| Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SUP60061EL-GE3 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
AOI21357Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SUP70101EL-GE3Vishay Siliconix
FQP47P06onsemi- SQP90P06-07L_GE3Vishay Siliconix
IXTR210P10TIXYS
IXTP96P085TIXYS
SUM60061EL-GE3Vishay Siliconix- IXTP48P05TIXYS
- SQP50P03-07_GE3Vishay Siliconix
IXTH90P10PIXYS