FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
NOVA-Teilenummer:
312-2264265-FDD1600N10ALZ
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FDD1600N10ALZ
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-252AA | |
| Basisproduktnummer | FDD1600 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PowerTrench® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6.8A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 3.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.61 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 225 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 14.9W (Tc) | |
| Andere Namen | FDD1600N10ALZCT FDD1600N10ALZDKR ONSONSFDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZTR 2156-FDD1600N10ALZ-OS |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- HUF76609D3STonsemi
- B0530WS RRGTaiwan Semiconductor Corporation
- FQD5P20TMonsemi
- FDD86252onsemi
- NTMFS015N10MCLT1Gonsemi
- EPC2036EPC
- MD1213K6-GMicrochip Technology
- FQD11P06TMonsemi
- IRFR120NTRPBFInfineon Technologies







