IPN70R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
NOVA-Teilenummer:
312-2275121-IPN70R1K5CEATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPN70R1K5CEATMA1
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 700 V 5.4A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-SOT223-3 | |
| Basisproduktnummer | IPN70R1 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.4A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | Super Junction | |
| Paket/Koffer | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 700 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 225 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 5W (Tc) | |
| Andere Namen | IPN70R1K5CEATMA1DKR IPN70R1K5CEATMA1TR SP001458794 IPN70R1K5CEATMA1CT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
LR8K4-GMicrochip Technology
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon Technologies- IPN70R1K2P7SATMA1Infineon Technologies
- IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon Technologies
- IPN60R1K0CEATMA1Infineon Technologies
