IPD65R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
NOVA-Teilenummer:
312-2291092-IPD65R650CEAUMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPD65R650CEAUMA1
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO252-3 | |
| Basisproduktnummer | IPD65R650 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ CE | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 7A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 440 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 86W (Tc) | |
| Andere Namen | IPD65R650CEAUMA1DKR IPD65R650CEAUMA1-ND IPD65R650CEAUMA1CT IPD65R650CEAUMA1TR SP001396908 |
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