SCT3160KLGC11

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten	TO-247N
Basisproduktnummer	SCT3160
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	17A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 18 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-247-3
Vgs (Max)	+22V, -4V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	398 pF @ 800 V
Verlustleistung (max.)	103W (Tc)

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