NTLJS3113PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
NOVA-Teilenummer:
312-2299368-NTLJS3113PT1G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NTLJS3113PT1G
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 20 V 3.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 6-WDFN (2x2) | |
| Basisproduktnummer | NTLJS3113 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | µCool™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.5A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 3A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15.7 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 6-WDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1329 pF @ 16 V | |
| Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta) | |
| Andere Namen | =NTLJS3113PT1GOSCT-ND NTLJS3113PT1GOSTR NTLJS3113PT1GOSCT 2156-NTLJS3113PT1G-OS NTLJS3113PT1GOSDKR NTLJS3113PT1G-ND ONSONSNTLJS3113PT1G |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
NX1610SA-32.768KHZ-EXS00A-MU00658NDK America, Inc.
PI4MSD5V9546AZYEXDiodes Incorporated
PCA9306FMUTAGonsemi
FPF1008onsemi
SSM3K44MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage
74LVC2G126GS,115Nexperia USA Inc.
DRV2605YZFTTexas Instruments
