FQP13N10L
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
NOVA-Teilenummer:
312-2288566-FQP13N10L
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FQP13N10L
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 12.8A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220-3 | |
| Basisproduktnummer | FQP13 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | QFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 12.8A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 6.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-220-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 520 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 65W (Tc) |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- IRF530PBFVishay Siliconix
- IRL520NPBFInfineon Technologies
- RFP12N10Lonsemi
- STP14NF10STMicroelectronics
- FQU13N10LTUonsemi
- FQP13N10onsemi






