SUD35N10-26P-E3

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	TO-252AA
Basisproduktnummer	SUD35
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	35A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2000 pF @ 12 V
Verlustleistung (max.)	8.3W (Ta), 83W (Tc)
Andere Namen	SUD35N10-26P-E3DKR SUD35N10-26P-E3CT SUD35N10-26P-E3TR SUD35N10-26P-E3-ND

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