IRF7473PBF

HEXFET POWER MOSFET
NOVA-Teilenummer:
312-2294472-IRF7473PBF
Hersteller-Teile-Nr:
IRF7473PBF
Standardpaket:
1
Technisches Datenblatt:

N-Channel 100 V 6.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerInternational Rectifier
RoHS 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten 8-SO
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieHEXFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/Koffer8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max)±20V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3180 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta)
Andere Namen2156-IRF7473PBF
INFIRFIRF7473PBF

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