FDMS86201
MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
NOVA-Teilenummer:
312-2273471-FDMS86201
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FDMS86201
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 120 V 11.6A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-PQFN (5x6) | |
| Basisproduktnummer | FDMS86 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PowerTrench® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11.6A (Ta), 49A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 11.6A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 120 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2735 pF @ 60 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | |
| Andere Namen | FDMS86201DKR FDMS86201TR FDMS86201CT 2156-FDMS86201-OS |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- BSC190N12NS3GATMA1Infineon Technologies
- 749020100AWürth Elektronik
- CC-MX-JN58-Z1Digi
- EMMC04G-M627-M06UKingston
- TPS73433TDDCRQ1Texas Instruments
- BSC077N12NS3GATMA1Infineon Technologies
- FDMS86202ET120onsemi
- LTC2875HS8#TRPBFAnalog Devices Inc.
- FDMS86200onsemi
- BSC0302LSATMA1Infineon Technologies
- BC847C,235Nexperia USA Inc.
- FDMS86202onsemi











