IRF3205LPBF

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MOSFET N-CH 55V 110A TO262

NOVA-Teilenummer:

312-2263674-IRF3205LPBF

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

IRF3205LPBF

Standardpaket:

Technisches Datenblatt:

N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten	TO-262
Basisproduktnummer	IRF3205
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	HEXFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	110A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	146 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	3247 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	200W (Tc)
Andere Namen	SP001564458 *IRF3205LPBF