SCT10N120H

SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
NOVA-Teilenummer:
312-2273357-SCT10N120H
Hersteller-Teile-Nr:
SCT10N120H
Standardpaket:
1,000

N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2Pak-2

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KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerSTMicroelectronics
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten H2Pak-2
Basisproduktnummer SCT10
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Serie-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 20 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)+25V, -10V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)1200 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 290 pF @ 400 V
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Andere NamenSCT10N120H-ND
497-SCT10N120HCT
497-SCT10N120HDKR
497-SCT10N120HTR

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