SISS12DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2277875-SISS12DN-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SISS12DN-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 40 V 37.5A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® 1212-8S | |
| Basisproduktnummer | SISS12 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 37.5A (Ta), 60A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.98mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 89 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® 1212-8S | |
| Vgs (Max) | +20V, -16V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4270 pF @ 20 V | |
| Verlustleistung (max.) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) | |
| Andere Namen | SISS12DN-T1-GE3TR SISS12DN-T1-GE3CT SISS12DN-T1-GE3DKR |
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