BSC019N04NSGATMA1

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TDSON-8-1
Basisproduktnummer	BSC019
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	30A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 85µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	108 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	8800 pF @ 20 V
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Andere Namen	BSC019N04NSGATMA1CT BSC019N04NS GDKR-ND BSC019N04NS GCT BSC019N04NS G-ND BSC019N04NS GTR-ND BSC019N04NSGATMA1CT-NDTR-ND 2156-BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NS G BSC019N04NS GDKR BSC019N04NS GCT-ND BSC019N04NSGATMA1TR BSC019N04NSGATMA1DKR BSC019N04NSGATMA1DKR-NDTR-ND INFINFBSC019N04NSGATMA1 SP000388299

In stock Bitte kontaktieren Sie uns

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!