STB33N65M2
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
NOVA-Teilenummer:
312-2283295-STB33N65M2
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
STB33N65M2
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D²PAK (TO-263) | |
| Basisproduktnummer | STB33 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | MDmesh™ M2 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 24A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 41.5 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1790 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 190W (Tc) | |
| Andere Namen | 497-15457-2 497-15457-1 497-15457-6 |
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