IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
NOVA-Teilenummer:
312-2283077-IPB320N20N3GATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPB320N20N3GATMA1
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO263-3 | |
| Basisproduktnummer | IPB320 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 34A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 34A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2350 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 136W (Tc) | |
| Andere Namen | SP000691172 IPB320N20N3G IPB320N20N3 GDKR IPB320N20N3 GCT IPB320N20N3GATMA1TR IPB320N20N3GATMA1DKR IPB320N20N3 G-ND IPB320N20N3 G IPB320N20N3 GDKR-ND IPB320N20N3 GTR IPB320N20N3GATMA1CT IPB320N20N3 GTR-ND IPB320N20N3 GCT-ND |
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