BSC100N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
NOVA-Teilenummer:
312-2282428-BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSC100N10NSFGATMA1
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 11.4A (Ta), 90A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TDSON-8-1 | |
| Basisproduktnummer | BSC100 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11.4A (Ta), 90A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2900 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 156W (Tc) | |
| Andere Namen | 2156-BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSF G-ND BSC100N10NSFGATMA1DKR BSC100N10NSF GTR BSC100N10NSFGATMA1CT BSC100N10NSF GDKR BSC100N10NSF GTR-ND BSC100N10NSF GDKR-ND BSC100N10NSF GCT-ND BSC100N10NSF G SP000379595 BSC100N10NSFG BSC100N10NSFGATMA1TR BSC100N10NSF GCT IFEINFBSC100N10NSFGATMA1 |
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