FQB50N06LTM
MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
NOVA-Teilenummer:
312-2288176-FQB50N06LTM
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FQB50N06LTM
Standardpaket:
800
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 52.4A (Tc) 3.75W (Ta), 121W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D²PAK (TO-263) | |
| Basisproduktnummer | FQB50N06 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | QFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 52.4A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 26.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1630 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.75W (Ta), 121W (Tc) | |
| Andere Namen | FQB50N06LTMFSTR FQB50N06LTMFSDKR FQB50N06LTM-ND FQB50N06LTMFSCT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
ZVN2120GTADiodes Incorporated
SN6501DBVRTexas Instruments
