SI2336DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
NOVA-Teilenummer:
312-2285018-SI2336DS-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI2336DS-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 30 V 5.2A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Basisproduktnummer | SI2336 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.2A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 3.8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 8 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 560 pF @ 15 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) | |
| Andere Namen | SI2336DS-T1-GE3TR SI2336DS-T1-GE3DKR SI2336DST1GE3 SI2336DS-T1-GE3CT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
1N4148WS-7-FDiodes Incorporated
PMV42ENERNexperia USA Inc.
STWD100NWWY3FSTMicroelectronics
RSR025N03TLRohm Semiconductor
1-1462039-8TE Connectivity Potter & Brumfield Relays
2N7002-TPMicro Commercial Co
IRLML0030TRPBFInfineon Technologies- SI2336DS-T1-BE3Vishay Siliconix
2211-05-301Coto Technology
VAOL-5701SBY4Visual Communications Company - VCC- 5-1462039-6TE Connectivity Potter & Brumfield Relays
G3VM-101QR1(TR05)Omron Electronics Inc-EMC Div
