SI4477DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
NOVA-Teilenummer:
312-2290273-SI4477DY-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI4477DY-T1-GE3
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
P-Channel 20 V 26.6A (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOIC | |
| Basisproduktnummer | SI4477 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 26.6A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 18A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Max) | ±12V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4600 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3W (Ta), 6.6W (Tc) | |
| Andere Namen | SI4477DY-T1-GE3-ND SI4477DY-T1-GE3TR SI4477DYT1GE3 SI4477DY-T1-GE3CT SI4477DY-T1-GE3DKR |
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