SI2301BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
NOVA-Teilenummer:
312-2284527-SI2301BDS-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI2301BDS-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 20 V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Basisproduktnummer | SI2301 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.2A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 375 pF @ 6 V | |
| Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta) | |
| Andere Namen | SI2301BDS-T1-GE3TR SI2301BDS-T1-GE3DKR SI2301BDS-T1-GE3-ND SI2301BDS-T1-GE3CT |
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