RS1E350GNTB

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-HSOP
Basisproduktnummer	RS1E
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	35A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	68 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	4060 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	3W (Ta)
Andere Namen	RS1E350GNTBTR RS1E350GNTBCT RS1E350GNTBDKR

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