CWDM3011P TR13 PBFREE

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Central Semiconductor Corp
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-SOIC
Basisproduktnummer	CWDM3011
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	11A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max)	20V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	3100 pF @ 8 V
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta)
Andere Namen	-CWDM3011P DKR-ND -1583-CWDM3011PTR13PBFREEDKR -CWDM3011P TR13-DKR-ND 1514-CWDM3011PTR13PBFREETR -CWDM3011P TR13 PBFREE CWDM3011PCT CWDM3011P DKR-ND -CWDM3011PDKR -CWDM3011PDKR-ND CWDM3011PTR -CWDM3011P TR13-ND CWDM3011PDKR CWDM3011P DKR -CWDM3011P CT-ND -1583-CWDM3011PTR13PBFREECT 1514-CWDM3011PTR13PBFREEDKR -CWDM3011P TR13-DKR CWDM3011P TR13 CWDM3011P CT -CWDM3011P TR13-CT-ND -CWDM3011PCT-ND CWDM3011P TR13 LEAD FREE CWDM3011PCT-ND CWDM3011P TR-ND CWDM3011PTR-ND -CWDM3011PCT 1514-CWDM3011PTR13PBFREECT -CWDM3011P TR13 CWDM3011P CT-ND CWDM3011PDKR-ND