SQ3427EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
NOVA-Teilenummer:
312-2285486-SQ3427EV-T1_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQ3427EV-T1_GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 60 V 5.3A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 6-TSOP | |
| Basisproduktnummer | SQ3427 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.3A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1000 pF @ 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 5W (Tc) | |
| Andere Namen | SQ3427EV-T1_GE3CT SQ3427EV-T1_GE3-ND SQ3427EV-T1_GE3TR SQ3427EV-T1-GE3 SQ3427EV-T1_GE3DKR |
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