BSZ160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
NOVA-Teilenummer:
312-2282672-BSZ160N10NS3GATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSZ160N10NS3GATMA1
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 8A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TSDSON-8 | |
| Basisproduktnummer | BSZ160 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8A (Ta), 40A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 12µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1700 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 63W (Tc) | |
| Andere Namen | BSZ160N10NS3 GINTR-ND BSZ160N10NS3 G-ND BSZ160N10NS3 GINDKR-ND BSZ160N10NS3GATMA1CT BSZ160N10NS3 GINCT-ND BSZ160N10NS3G BSZ160N10NS3 GINDKR SP000482390 BSZ160N10NS3 GINTR BSZ160N10NS3 G BSZ160N10NS3GATMA1DKR BSZ160N10NS3GATMA1TR BSZ160N10NS3 GINCT |
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