BSC110N15NS5ATMA1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TDSON-8-7
Basisproduktnummer	BSC110
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	76A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.6V @ 91µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2770 pF @ 75 V
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Andere Namen	BSC110N15NS5ATMA1-ND SP001181418 BSC110N15NS5ATMA1CT BSC110N15NS5ATMA1DKR BSC110N15NS5ATMA1TR

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