BSC0501NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
NOVA-Teilenummer:
312-2282595-BSC0501NSIATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSC0501NSIATMA1
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 30 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TDSON-8-6 | |
| Basisproduktnummer | BSC0501 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 29A (Ta), 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Body) | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2200 pF @ 15 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
| Andere Namen | 448-BSC0501NSIATMA1TR BSC0501NSIATMA1-ND SP001288140 448-BSC0501NSIATMA1CT 448-BSC0501NSIATMA1DKR |
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