IPD30N08S222ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
NOVA-Teilenummer:
312-2304377-IPD30N08S222ATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPD30N08S222ATMA1
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 75 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO252-3-11 | |
| Basisproduktnummer | IPD30N08 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 30A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.5mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1400 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 136W (Tc) | |
| Andere Namen | IPD30N08S222ATMA1TR IPD30N08S2-22-ND IFEINFIPD30N08S222ATMA1 IPD30N08S2-22 SP000252169 2156-IPD30N08S222ATMA1 |
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