SI3407DV-T1-BE3

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MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP

NOVA-Teilenummer:

312-2296698-SI3407DV-T1-BE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI3407DV-T1-BE3

Standardpaket:

3,000

P-Channel 20 V 7.5A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	6-TSOP
Basisproduktnummer	SI3407
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	7.5A (Ta), 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (Max)	±12V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1670 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 4.2W (Tc)
Andere Namen	742-SI3407DV-T1-BE3CT 742-SI3407DV-T1-BE3TR 742-SI3407DV-T1-BE3DKR