IRFH6200TRPBF
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
NOVA-Teilenummer:
312-2291149-IRFH6200TRPBF
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IRFH6200TRPBF
Standardpaket:
4,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-PQFN (5x6) | |
| Basisproduktnummer | IRFH6200 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 49A (Ta), 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 150µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Max) | ±12V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 10890 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | |
| Andere Namen | IRFH6200TRPBF-ND IRFH6200TRPBFTR SP001575628 IRFH6200TRPBFCT IRFH6200TRPBFDKR |
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