SI8819EDB-T2-E1

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MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT

NOVA-Teilenummer:

312-2265226-SI8819EDB-T2-E1

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI8819EDB-T2-E1

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

P-Channel 12 V 2.9A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Basisproduktnummer	SI8819
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	2.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	1.5V, 3.7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 8 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	4-XFBGA
Vgs (Max)	±8V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	650 pF @ 6 V
Verlustleistung (max.)	900mW (Ta)
Andere Namen	SI8819EDB-T2-E1-ND SI8819EDB-T2-E1TR SI8819EDB-T2-E1DKR SI8819EDB-T2-E1CT

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