DMN3016LSS-13
MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO
NOVA-Teilenummer:
312-2285049-DMN3016LSS-13
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
DMN3016LSS-13
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 30 V 10.3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SO | |
| Basisproduktnummer | DMN3016 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10.3A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25.1 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1415 pF @ 15 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) | |
| Andere Namen | DMN3016LSS-13DI DMN3016LSS-13DI-ND DMN3016LSS-13DITR DMN3016LSS-13DIDKR DMN3016LSS-13DICT |
In stock Brauche mehr?
0,33150 $
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- DMG4466SSS-13Diodes Incorporated
- SI4134DY-T1-GE3Vishay Siliconix
- AO4468Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- SN74LVC1T45DPKRTexas Instruments
- IRF8707TRPBFInfineon Technologies
- NCP81155MNTXGonsemi
- STS10N3LH5STMicroelectronics








