DMTH43M8LPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
NOVA-Teilenummer:
312-2287899-DMTH43M8LPSQ-13
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
DMTH43M8LPSQ-13
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 40 V 22A (Ta), 100A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerDI5060-8 | |
| Basisproduktnummer | DMTH43 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 22A (Ta), 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3367 pF @ 20 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.7W (Ta) | |
| Andere Namen | DMTH43M8LPSQ-13DIDKR DMTH43M8LPSQ-13DITR DMTH43M8LPSQ-13DICT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
445I23D12M00000CTS-Frequency Controls
BAV19WS-AU_R1_000A1Panjit International Inc.
BAS40-04-HE3-18Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DMNH4006SPSQ-13Diodes Incorporated
DMN53D0LQ-7Diodes Incorporated
IPC90N04S5L3R3ATMA1Infineon Technologies