NVTFS5116PLTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
NOVA-Teilenummer:
312-2287792-NVTFS5116PLTWG
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NVTFS5116PLTWG
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 60 V 6A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| Basisproduktnummer | NVTFS5116 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 7A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerWDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1258 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.2W (Ta), 21W (Tc) | |
| Andere Namen | NVTFS5116PLTWGOSDKR NVTFS5116PLTWG-ND NVTFS5116PLTWGOSCT NVTFS5116PLTWGOSTR |
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