SI2387DS-T1-GE3
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
NOVA-Teilenummer:
312-2296347-SI2387DS-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI2387DS-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.1A (Ta), 3A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 164mOhm @ 2.1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10.2 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 395 pF @ 40 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SI2387DS-T1-GE3CT 742-SI2387DS-T1-GE3TR 742-SI2387DS-T1-GE3DKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
DMPH6250S-13Diodes Incorporated
SI2337DS-T1-E3Vishay Siliconix- FDN5618Ponsemi
TSM2309CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation- ZXMP6A13FQTADiodes Incorporated
- SI2309CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
