IXTP3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
NOVA-Teilenummer:
312-2289828-IXTP3N120
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IXTP3N120
Standardpaket:
50
Technisches Datenblatt:
N-Channel 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220-3 | |
| Basisproduktnummer | IXTP3 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HiPerFET™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-220-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1350 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 200W (Tc) | |
| Andere Namen | IXTP3N120-NDR |
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