SI1012X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
NOVA-Teilenummer:
312-2282420-SI1012X-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI1012X-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 20 V 500mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SC-89-3 | |
| Basisproduktnummer | SI1012 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 500mA (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 600mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | SC-89, SOT-490 | |
| Vgs (Max) | ±6V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Verlustleistung (max.) | 250mW (Ta) | |
| Andere Namen | SI1012XT1GE3 SI1012X-T1-GE3TR SI1012X-T1-GE3CT SI1012X-T1-GE3DKR SI1012X-T1-GE3-ND |
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