SI2365EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
NOVA-Teilenummer:
312-2281491-SI2365EDS-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI2365EDS-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 20 V 5.9A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Basisproduktnummer | SI2365 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.9A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 8 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Ta), 1.7W (Tc) | |
| Andere Namen | SI2365EDST1GE3 SI2365EDS-T1-GE3TR SI2365EDS-T1-GE3CT SI2365EDS-T1-GE3DKR |
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