SI2329DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
NOVA-Teilenummer:
312-2263502-SI2329DS-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI2329DS-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Basisproduktnummer | SI2329 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5.3A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Max) | ±5V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 8 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1485 pF @ 4 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Tc) | |
| Andere Namen | SI2329DS-T1-GE3-ND SI2329DS-T1-GE3CT SI2329DS-T1-GE3TR SI2329DS-T1-GE3DKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
LS Q976-NR-1OSRAM Opto Semiconductors Inc.
MCP73831T-2ACI/OTMicrochip Technology
TQ2SA-5V-ZPanasonic Electric Works
SI2342DS-T1-GE3Vishay Siliconix
SSM3J372R,LFToshiba Semiconductor and Storage
LP592201DSCTTexas Instruments- SI3401A-TPMicro Commercial Co
NHDTC143ZTVLNexperia USA Inc.
AO3419Alpha & Omega Semiconductor Inc.- SI2315BDS-T1-E3Vishay Siliconix
MAX6705SKA+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
TSM500P02CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation
EPC2055EPC
