STH2N120K5-2AG
MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
NOVA-Teilenummer:
312-2297890-STH2N120K5-2AG
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
STH2N120K5-2AG
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 1200 V 1.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | H2Pak-2 | |
| Basisproduktnummer | STH2N120 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.5A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 124 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 60W (Tc) | |
| Andere Namen | 497-STH2N120K5-2AGDKR 497-STH2N120K5-2AGTR 497-STH2N120K5-2AGCT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- TLV3201AQDCKRQ1Texas Instruments
- STH12N120K5-2STMicroelectronics
- STD4NK100ZSTMicroelectronics
- IXTH1N200P3IXYS
- STFW3N150STMicroelectronics
- STH13N120K5-2AGSTMicroelectronics
- NVBG020N120SC1onsemi
- IXTY1R4N120PHVIXYS
- C2M1000170JWolfspeed, Inc.









